Оформить запрос на
источник питания

Заявка успешно отправлена.
Произошла ошибка. Попробуйте позже.
E-mail не соответствует формату.
Подтвердите согласие на обработку персональных данных.
Заполните обязательные поля.
Подобрать аналог для
источник питания

Заявка успешно отправлена.
Произошла ошибка. Попробуйте позже.
E-mail не соответствует формату.
Подтвердите согласие на обработку персональных данных.
Заполните обязательные поля.
DRDN20-24

DRDN20-24

На складе
2 120 ₽ за 1 шт

DRDN20-24 - модуль резервирования питания на 20 А для повышения надежности систем электропитания.

Расшифровка партномера

ПозицияОбозначениеЗначение
1DRDN20Серия модулей резервирования DIN реечного исполнения с выходным током до 20 А
224Исполнение для систем с номинальным напряжением 24 В

Описание

Серия DRDN20 представляет собой модуль резервирования на 20 А, предназначенный для применения совместно с источниками питания с целью повышения общей надежности работы системы. Модуль обеспечивает поддержку схем резервирования 1+1 и N+1, имеет два входных канала постоянного тока и один выход, а также встроенные контакты для контроля состояния выходного напряжения. Применение MOSFET-технологии позволяет снизить тепловые потери и уменьшить разность напряжений между входом и выходом. Устройство рассчитано на работу в широком диапазоне температур и имеет узкий корпус шириной 32 мм.

Области применения

  • Промышленные системы управления
  • Оборудование для производства полупроводников
  • Фабричная автоматизация
  • Электромеханическая аппаратура

Особенности

  • Поддержка схем резервирования 1+1 и N+1
  • 2 входных канала и 1 выход
  • Подходит для резервирования систем 12 В / 24 В / 48 В
  • Выходной ток до 20 А
  • Охлаждение за счет свободной конвекции воздуха
  • Рабочий диапазон температур от -40 до +80 °C с ограничением по снижению нагрузки выше +60 °C
  • Компактная ширина 32 мм
  • Встроенные 2-канальный сигнал DC OK и аварийное реле
  • Монтаж на DIN рейку TS35/7.5 или TS35/15

Основные параметры

ПараметрЗначение
СерияDRDN20
Номинал исполнения24 В
Тип устройстваМодуль резервирования питания на DIN рейку
Количество входов2 канала
Количество выходов1
Поддерживаемые схемы резервирования1+1 и N+1

Вход

ПараметрЗначение
Номинальное входное напряжение24 В постоянного тока
Диапазон входного напряжения19–29 В постоянного тока
Номинальный входной ток0–20 А на вход, непрерывно
Пиковый входной ток0–30 А на вход, 5 с
Обратный входной ток1 мА
Максимальное обратное входное напряжение40 В постоянного тока
Авария по обоим входным напряжениям<18 В или >31 В (±5%)
Ёмкость320 мкФ (тип.)

Выход

ПараметрЗначение
Номинальный выходной ток0–20 А, непрерывно
Пиковый выходной ток30 А, 5 с
Падение напряжения (Vin–Vout), максимальное0,25 В
КПД (тип.)98%
Потребление в режиме ожидания (тип.)1,5 Вт
Защита от перегрузки<30 А, 5 с, без повреждения
Защита от короткого замыкания<30 А, 5 с, без повреждения

Функциональные сигналы и реле

ПараметрЗначение
Индикация состоянияЗеленый светодиод DC OK
Сигнал DC OK2 канала
Релейный контакт30 В / 1 А, активная нагрузка
Состояние контакта при DC OKКонтакт замкнут, блок питания включен
Состояние контакта при DC FailКонтакт разомкнут, питание отключено или входное напряжение выше/ниже нормы

Эксплуатационные условия

ПараметрЗначение
Рабочая температураот -40 до +80 °C
Рабочая влажность5–95% RH, без конденсации
Температура храненияот -40 до +85 °C
Температурный коэффициент±0,03%/°C (0–60 °C)
Рабочая высота5000 м, OVC II
Снижение допустимой температуры с высотой3,5 °C/1000 м для моделей без вентилятора; 5 °C/1000 м для моделей с вентилятором выше 2000 м

Механические параметры

ПараметрЗначение
Габариты32 × 125,2 × 102 мм (Ш × В × Г)
Масса0,35 кг
Упаковка28 шт. / 10,8 кг / 1,23 куб. фута
МонтажНа DIN рейку TS35/7.5 или TS35/15
ОхлаждениеСвободная конвекция воздуха

Надежность

ПараметрЗначение
MTBF по Telcordia SR-332 (Bellcore)1836,0 тыс. ч, минимум
MTBF по MIL-HDBK-217F (25 °C)482,1 тыс. ч, минимум

Электробезопасность и ЭМС

ПараметрЗначение
Стандарты безопасностиIEC62368-1, UL62368-1, EAC TP TC 004
Испытательное напряжениеIP/OP - Chassis: 0,5 кВ AC; IP/OP - Relay: 0,5 кВ AC; Relay - Chassis: 0,5 кВ AC
Сопротивление изоляцииIP/OP - Chassis, IP/OP - Relay, Relay - Chassis: >100 МОм / 500 В DC / 25 °C / 70% RH

Эмиссия ЭМС

ПараметрСтандартУровень / примечание
Кондуктивные помехиBS EN/EN55032 (CISPR32)Класс B
Излучаемые помехиBS EN/EN55032 (CISPR32)Класс B
Пульсации напряжения
Гармонические составляющие тока

Помехоустойчивость ЭМС

ПараметрСтандартУровень / примечание
Электростатический разрядBS EN/EN61000-4-2Уровень 4, 15 кВ воздух; уровень 3, 8 кВ контакт; критерий A
Излучаемое радиочастотное полеBS EN/EN61000-4-3Уровень 3, 10 В/м; критерий A
Быстрые переходные процессы / всплескиBS EN/EN61000-4-4Уровень 3, 2 кВ; критерий A
Импульсные помехиBS EN/EN61000-4-5Уровень 3, 1 кВ линия-линия; уровень 3, 2 кВ линия-линия-корпус; критерий A
Кондуктивные помехиBS EN/EN61000-4-6Уровень 3, 10 В; критерий A
Магнитное поле промышленной частотыBS EN/EN61000-4-8Уровень 4, 30 А/м; критерий A
ЭМС по защите и помехоустойчивостиBS EN/EN55035, BS EN/EN61000-6-2 (BS EN/EN50082-2)

Примечания

  • Все параметры, не оговоренные особо, измерены при нормальном входном напряжении 12 В / 24 В / 48 В, номинальной нагрузке и температуре окружающей среды 25 °C.
  • При повышенной температуре окружающей среды может потребоваться снижение нагрузки. Следует руководствоваться кривой дерейтингa.
  • Снижение допустимой температуры по высоте составляет 3,5 °C/1000 м для моделей без вентилятора и 5 °C/1000 м для моделей с вентилятором при высоте выше 2000 м (6500 ft).
  • Источники питания рассматриваются как независимые узлы, однако конечное оборудование должно быть дополнительно проверено на соответствие директивам по ЭМС.

Схема применения

Устройство допускает применение в конфигурации 1+1, когда один дополнительный источник питания используется как резервный; в конфигурации N+1, когда несколько источников питания применяются как резервные для повышения надежности; а также в режиме одиночного использования, когда к одному модулю DRDN20 подключается только один источник питания, что снижает нагрузку на MOSFET и повышает надежность.