Оформить запрос на
источник питания

Заявка успешно отправлена.
Произошла ошибка. Попробуйте позже.
E-mail не соответствует формату.
Подтвердите согласие на обработку персональных данных.
Заполните обязательные поля.
Подобрать аналог для
источник питания

Заявка успешно отправлена.
Произошла ошибка. Попробуйте позже.
E-mail не соответствует формату.
Подтвердите согласие на обработку персональных данных.
Заполните обязательные поля.
ERDN20-48

ERDN20-48

На складе
3 449 ₽ за 1 шт

ERDN20-48 - модуль резервирования питания 48 В с двумя входами, одним выходом и контролем состояния.

Назначение: ERDN20-48 представляет собой закрытый модуль резервирования на 20 А для повышения надежности системы электропитания при построении схем 1+1 и N+1. Компонент предназначен для применения с источниками питания постоянного тока и обеспечивает объединение двух входных линий в один выход с понижением потерь на MOSFET-ключах и с индикацией состояния по каналам DC OK.

Расшифровка партномера

Позиция в партномереРасшифровка
ERDN20Серия закрытых модулей резервирования, номинальный выходной ток до 20 А
48Исполнение для системы с номинальным напряжением 48 В постоянного тока

Основные особенности

  • Поддержка схем резервирования 1+1 и N+1.
  • Два входных канала и один выход.
  • Предназначен для систем 5 В / 12 В / 24 В / 48 В.
  • Выходной ток до 20 А.
  • Охлаждение за счет свободной конвекции воздуха.
  • Ультраширокий диапазон рабочей температуры от -40 до +80 °C.
  • Встроенные два канала сигнала DC OK и релейные контакты аварии.

Области применения

  • Промышленные системы управления.
  • Оборудование для производства полупроводников.
  • Автоматизация производства.
  • Электромеханические устройства.

Описание

Серия ERDN20 представляет собой модуль резервирования на 20 А, применяемый совместно с источниками питания для повышения надежности работы системы в целом. Конструкция предусматривает выбор входного напряжения 5 В, 12 В, 24 В или 48 В, поддержку резервирования типов 1+1 и N+1, а также наличие двух входных DC-цепей и одного выходного канала.

Использование MOSFET-технологии позволяет снизить тепловые потери и уменьшить падение напряжения между входом и выходом. Для контроля состояния предусмотрены два канала релейных контактов DC OK.

Технические параметры

Вход

ПараметрЗначение
Количество входов2 канала
Номинальное напряжение постоянного тока5 В / 12 В / 24 В / 48 В
Диапазон входного напряжения4,5–6 В; 9–14 В; 19–29 В; 36–60 В
Номинальный ток0–20 А на вход, непрерывно
Пиковый ток0–30 А на вход, 5 с
Максимальный обратный ток по входу1 мА
Максимальное обратное напряжение по входу15 В для 5 В; 40 В для 12 В; 40 В для 24 В; 65 В для 48 В

Выход

ПараметрЗначение
Номинальный ток0–20 А, непрерывно
Пиковый ток30 А, 5 с
Падение напряжения вход–выход, максимально0,2 В
КПД, типовое значение97 % для 5 В; 98 % для 12 В; 98 % для 24 В; 98 % для 48 В
Емкость, типовое значение320 мкФ
Потребляемая мощность в режиме ожидания, типовое значение1,5 Вт

Защита

ПараметрЗначение
ПерегрузкаМеньше 30 А, 5 с, без повреждения
Короткое замыканиеМеньше 30 А, 5 с, без повреждения

Функции

ПараметрЗначение
РезервированиеДля схемы 1+1, поддержка схемы N+1
Авария по обоим входамМеньше 4 В или больше 6,5 В (±5 %); меньше 8,5 В или больше 14,7 В (±5 %); меньше 18 В или больше 31 В (±5 %); меньше 34,2 В или больше 63 В (±5 %)
Реле30 В постоянного тока, 1 А, резистивная нагрузка
Сигнализация состоянияЗеленый светодиод DC OK
Контакты релейной сигнализацииDC OK

Условия эксплуатации

ПараметрЗначение
Рабочая температураОт -40 до +80 °C
Рабочая влажность5–95 % RH, без конденсации
Температура храненияОт -40 до +85 °C
Температурный коэффициент±0,03 %/°C (0...60 °C)
Высота эксплуатации5000 м, OVC II
Снижение допустимой нагрузкиВыше +60 °C — по кривой снижения нагрузки
Снижение температуры по высоте3,5 °C/1000 м для безвентиляторных моделей; 5 °C/1000 м для моделей с вентилятором при высоте более 2000 м

Электрическая прочность и изоляция

ПараметрЗначение
Испытательное напряжениеВход/выход относительно корпуса: 0,5 кВ переменного тока; вход/выход: 0,5 кВ переменного тока; реле/корпус: 0,5 кВ переменного тока
Сопротивление изоляцииВход/выход, реле/корпус: более 100 МОм / 500 В постоянного тока / 25 °C / 70 % RH

ЭМС

ПараметрСтандартУровень / примечание
Излучаемые помехиBS EN/EN55032 (CISPR32)Класс B
Кондуктивные помехиBS EN/EN55032 (CISPR32)Класс B
Электростатический разрядBS EN/EN61000-4-2Уровень 4, 15 кВ воздушный; уровень 3, 8 кВ контактный; критерий A
РадиополеBS EN/EN61000-4-3Уровень 3, 10 В/м; критерий A
Быстрые переходные процессыBS EN/EN61000-4-4Уровень 3, 10 В; критерий A
Импульсные помехиBS EN/EN61000-4-5Уровень 3, 1 кВ линия-линия; уровень 3, 2 кВ линия-линия-корпус; критерий A
Кондуктивная помехоустойчивостьBS EN/EN61000-4-6Уровень 3, 10 В; критерий A
Магнитное полеBS EN/EN61000-4-8Уровень 4, 30 А/м; критерий A
Гармонические токиBS EN/EN61000-3-2---
Мерцание напряженияBS EN/EN61000-3-3---

Надежность, масса, габариты и упаковка

ПараметрЗначение
MTBF1853,5 тыс. ч минимум по Telcordia SR-332 (Bellcore); 378,7 тыс. ч минимум по MIL-HDBK-217F (25 °C)
Габариты82 × 99 × 36 мм
Масса0,206 кг
Упаковка45 шт.; 10,3 кг; 0,76 куб. фута

Примечания

  • Все параметры, не оговоренные особо, измеряются при нормальном входном напряжении, номинальной нагрузке и температуре окружающей среды 25 °C.
  • При высокой температуре окружающей среды может потребоваться снижение нагрузки. Следует учитывать кривую снижения нагрузки.
  • Для высоты эксплуатации выше 2000 м требуется температурное снижение: 3,5 °C/1000 м для безвентиляторных моделей и 5 °C/1000 м для моделей с вентилятором.
  • Источник питания рассматривается как независимое изделие, однако конечное оборудование должно быть повторно проверено на соответствие директивам ЭМС.

Подключение и назначение выводов

Номер выводаНазначение
1FG
2Выход +
3Выход -
4, 5Вход постоянного тока -Vin
6Вход постоянного тока +Vin1
7Вход постоянного тока +Vin2
8, 9Авария 1 DC OK
10, 11Авария 2 DC OK

Функциональные примеры применения

  • 1+1 резервирование: использование одного дополнительного источника питания в качестве резервного блока.
  • N+1 резервирование: использование нескольких источников питания в качестве резервных для повышения надежности.
  • Одиночное применение: подключение только одного источника питания к одному ERDN20 для снижения нагрузки на MOSFET и повышения надежности.